3D Wafer 절삭방식은 Diamond Wire 절삭도구를 이용하여 3D형상으로 Slicing을 합니다..
Slicing Time은 기존 2D Wafer 절삭방식은 8~9시간이 소요되며, 3D Wafer 절삭방식은 4~5시간이 소요됩니다.
3D Wafer 절삭방식은 기존 2D Wafer 절삭방식 대비하여 생산량을 1일 최대 2배 가량 늘릴 수 있습니다.
"3D Structure Solar Wafer Production "
IRIENCE
이리언스는 3D Wafer를 가공할 수 있는 차별화된 Slicing M/C과 Diamond Wire의 핵심기술이 적용된 3D Wafer 양산체제를 구축합니다.
태양광 3D Wafer
표면적을 혁신적으로 향상 통한 3H Concept으로 새로운 3D Wafer를 생산합니다.
3D Wafer는 기존 2D에 비해 수광면이 50% 가량 넓어지고, 효율이 향상됩니다.
3D Wafer 제작공정은 기존 양산공정과 동일하며 Wafer Slicing M/C이 차별화된 장비로 생산합니다.
3D Wafer를 가공할 수 있는 차별화된 Slicing M/C과 Diamond Wire의 핵심기술개발로 3D Wafer 양산 체제 구축합니다.
Design Innovation을 통한 Paradigm Shift로
3D구조의 고효율용 Wafer를 개발.
기존 Wafer와 형상 및 표면적을 차별화하여 새로운 Concept의 3D Wafer 개발.
3D Wafer 절삭방식은 Diamond Wire 절삭도구를 이용하여 3D형상으로 Slicing을 합니다..
Slicing Time은 기존 2D Wafer 절삭방식은 8~9시간이 소요되며, 3D Wafer 절삭방식은 4~5시간이 소요됩니다.
3D Wafer 절삭방식은 기존 2D Wafer 절삭방식 대비하여 생산량을 1일 최대 2배 가량 늘릴 수 있습니다.
3D Wafer Slicing 방식은 기존의 개념에서 탈피한 새로운 방법을 개발 적용합니다.
3D Wafer 절삭방식 적용